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onsemi 2N7000-D75Z
| Artikelnummer: | 2N7000-D75Z |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi 2N7000-D75Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments 2N7000-D75Z.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Verlustleistung (max) 400mW (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Paket Cut Tape (CT) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) Grundproduktnummer 2N7000 2N7000-D75Z Einzelheiten PDF [English] 2N7000-D75Z PDF - EN.pdf -
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